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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
15.0
写入速度,GB/s
7.8
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3098
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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