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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
差异
规格
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.4
16.4
写入速度,GB/s
7.8
11.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2605
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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