RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
47
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2418
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link