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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
13.6
写入速度,GB/s
7.8
10.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2418
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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