RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2418
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Inmos + 256MB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link