RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
47
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3075
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link