RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3343
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link