RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3509
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link