RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2925
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link