RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2880
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link