RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3025
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link