Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 54

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 33
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 17.8
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 3539

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM