RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3215
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link