RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2489
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link