RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
54
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3879
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link