RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
54
Около -286% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
14
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
25.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
19.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
4182
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link