RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
54
Wokół strony -286% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
14
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
4182
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link