RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
60
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
60
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1505
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link