RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2731
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link