RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston 9905622-058.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
54
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2801
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link