RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
374
Около 86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
0.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
1.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
374
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
0.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
1.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
269
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link