RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3021
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link