Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 54

Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.5 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 25
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 14.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 2620

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

модули RAM