RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
54
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
19
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3169
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link