RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3239
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link