RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3178
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link