RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3938
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link