RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
63
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2659
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link