RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
63
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2545
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link