RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
63
Около -186% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3075
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link