RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
14.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
2163
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link