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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
8.1
14.0
写入速度,GB/s
7.5
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2163
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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