RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3343
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link