RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3535
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link