RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
10.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2124
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link