RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
76
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1718
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link