RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
42
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2221
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link