RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2497
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link