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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
10.6
14.4
写入速度,GB/s
9.0
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2497
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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