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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
比较
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
总分
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
12.2
10.5
写入速度,GB/s
8.5
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1677
2386
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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