RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2437
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link