Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 42

Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.6 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 22
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 18.4
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 3222

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

модули RAM