RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3310
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link