RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
42
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
20
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3473
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link