RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1949
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link