RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2417
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link