RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
21.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3610
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link