RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3579
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link