RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
104
Около -373% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3220
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link