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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
104
左右 -373% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
22
读取速度,GB/s
3,192.0
18.6
写入速度,GB/s
2,404.5
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3220
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Corsair CM2X1024-6400 1GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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